第三代和第四代SiC肖特基勢壘二極體（SBD）提供了卓越的性能和可靠性，
與矽基方案相比，具有更高的效率、更高的操作溫度和更低的損耗。

它支持高頻運行，關斷時無恢復現象，並在反向電壓高達650V時保持低漏電流。
這項技術有助於系統的小型化和輕量化設計。符合RoHS標準的組件，適合工業應用。